IRLML5103TRPBF

Данный P-канальный MOSFET транзистор от Infineon Technologies, модель IRLML5103TRPBF, представляет собой компактное и эффективное решение для управления нагрузкой в низковольтных приложениях. Ключевыми параметрами устройства являются напряжение сток-исток 30 В и постоянный ток стока до 760 мА.

Корпус Micro3™/SOT-23 обеспечивает минимальное занимаемое место на печатной плате, что критически важно для современных портативных и миниатюрных электронных устройств. Транзистор предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и характеризуется низким сопротивлением в открытом состоянии, способствуя высокой энергоэффективности схемы.

Производитель:

continuousDrainCurrentId-760mA
descriptionThe IRLML5103TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation.
feature6Fully avalanche rating
thresholdVoltageVgs-1V
roHsPhthalatesCompliantTo be advised
productRange-
feature4Low static drain-to-source ON-resistance
onResistanceRdsOn0.6ohm
feature2Low profile (<1.1mm)
feature7Halogen-free
drainSourceVoltageVds-30V
noOfPins3Pins
transistorPolarityP Channel
feature1Generation V technology
feature3Fast switching
rdsOnTestVoltageVgs-10V
powerDissipationPd540mW
mslMSL 1 - Unlimited
automotiveQualificationStandard-
operatingTemperatureMax150°C
transistorCaseStyleSOT-23
roHsCompliantYes
feature5Dynamic dV/dt rating