BC847BDW1T1G

Миниатюрный транзисторный массив BC847BDW1T1G от Onsemi представляет собой пару согласованных NPN-биполярных транзисторов в сверхкомпактном корпусе. Идеальное решение для высокоплотного монтажа в современных электронных устройствах, где на счету каждый миллиметр платы.

Устройство характеризуется высоким значением граничной частоты 100 МГц, что позволяет эффективно использовать его в усилительных и коммутационных схемах. Напряжение коллектор-эмиттер до 45 В и ток до 100 мА обеспечивают широкий диапазон применений, а рассеиваемая мощность 380 мВт гарантирует надежную работу.

Производитель: ON Semiconductor

mountingTypeSurface Mount
dcCurrentGainHFeMinIcVce200 @ 2mA, 5V
roHsThis part is RoHS compliant.
vceSaturationMaxIbIc600mV @ 5mA, 100mA
packageCase6-TSSOP, SC-88, SOT-363
currentCollectorCutoffMax15nA (ICBO)
voltageCollectorEmitterBreakdownMax45V
series-
packagingTape & Reel (TR) Alternate Packaging
operatingTemperature-55°C ~ 150°C (TJ)
currentCollectorIcMax100mA
powerMax380mW
frequencyTransition100MHz
transistorType2 NPN (Dual)