SIR424DP-T1-GE3
Мощный N-канальный MOSFET-транзистор в компактном корпусе PowerPAK® SO-8, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Устройство рассчитано на напряжение сток-исток 20 В и обеспечивает непрерывный ток до 30 А, что делает его отличным решением для задач управления питанием и переключения в современных электронных устройствах.
Транзистор отличается высокой эффективностью рассеивания мощности: до 4.8 Вт при температуре окружающей среды (Ta) и до 41.7 Вт при температуре корпуса (Tc). Низкое сопротивление канала в открытом состоянии гарантирует минимальные потери и высокую энергоэффективность всей системы.
Производитель: Vishay Siliconix
| powerDissipationMax | 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) |
| vgsMax | ±20V |
| gateChargeQgMaxVgs | 35nC @ 10V |
| operatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| series | TrenchFET® |
| packageCase | PowerPAK® SO-8 |
| vgsThMaxId | 2.5V @ 250µA |
| mountingType | Surface Mount |
| driveVoltageMaxRdsOnMinRdsOn | 4.5V, 10V |
| roHs | This part is RoHS compliant. |
| rdsOnMaxIdVgs | 5.5 mOhm @ 20A, 10V |
| currentContinuousDrainId25C | 30A (Tc) |
| inputCapacitanceCissMaxVds | 1250pF @ 10V |
| drainToSourceVoltageVdss | 20V |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| packaging | Cut Tape (CT) Alternate Packaging |
| fetFeature | - |
| fetType | N-Channel |