NSS12201LT1G

Данный биполярный транзистор NPN-типа от ведущего производителя полупроводниковых компонентов представляет собой компактное и надежное решение для управления нагрузкой и усиления сигналов в современных электронных устройствах. Он рассчитан на работу с напряжением коллектор-эмиттер до 12 В и способен коммутировать постоянный ток до 2 А, что делает его применимым в широком спектре схем.

Корпус SOT-23, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD), обеспечивает минимальное занимаемое место на печатной плате, что критически важно для портативной и миниатюрной аппаратуры. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 540 мВт, обеспечивая стабильную работу в типовых режимах.

Производитель: ON Semiconductor

frequencyTransition150MHz
operatingTemperature-55°C ~ 150°C (TJ)
packagingCut Tape (CT) Alternate Packaging
currentCollectorCutoffMax100nA (ICBO)
voltageCollectorEmitterBreakdownMax12V
roHsThis part is RoHS compliant.
mountingTypeSurface Mount
transistorTypeNPN
series-
dcCurrentGainHFeMinIcVce200 @ 500mA, 2V
vceSaturationMaxIbIc90mV @ 200mA, 2A
currentCollectorIcMax2A
packageCaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
powerMax460mW