2N7002H6327XTSA2
Данный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET) N-типа является популярным решением для управления слаботочными нагрузками и переключения сигналов. Он характеризуется низким пороговым напряжением, что обеспечивает простоту управления от микроконтроллеров и цифровых схем.
Компактный корпус SOT-23 делает его идеальным для применения в портативной электронике и устройствах с высокой плотностью монтажа. Транзистор демонстрирует высокую скорость переключения и отличную стабильность параметров, что критически важно для современных электронных устройств.
Производитель: Infineon Technologies
| series | OptiMOS™ |
| mountingType | Surface Mount |
| packageCase | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| vgsMax | ±20V |
| fetType | N-Channel |
| operatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| rdsOnMaxIdVgs | 3 Ohm @ 500mA, 10V |
| drainToSourceVoltageVdss | 60V |
| driveVoltageMaxRdsOnMinRdsOn | 4.5V, 10V |
| currentContinuousDrainId25C | 300mA (Ta) |
| fetFeature | - |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| powerDissipationMax | 500mW (Ta) |
| inputCapacitanceCissMaxVds | 20pF @ 25V |
| vgsThMaxId | 2.5V @ 250µA |
| roHs | This part is RoHS compliant. |
| packaging | Tape & Reel (TR) Alternate Packaging |
| gateChargeQgMaxVgs | 0.6nC @ 10V |