BC847BDW1T1G
Миниатюрный транзисторный массив BC847BDW1T1G от Onsemi представляет собой пару согласованных NPN-биполярных транзисторов в сверхкомпактном корпусе. Идеальное решение для высокоплотного монтажа в современных электронных устройствах, где на счету каждый миллиметр платы.
Устройство характеризуется высоким значением граничной частоты 100 МГц, что позволяет эффективно использовать его в усилительных и коммутационных схемах. Напряжение коллектор-эмиттер до 45 В и ток до 100 мА обеспечивают широкий диапазон применений, а рассеиваемая мощность 380 мВт гарантирует надежную работу.
Производитель: ON Semiconductor
| mountingType | Surface Mount |
| dcCurrentGainHFeMinIcVce | 200 @ 2mA, 5V |
| roHs | This part is RoHS compliant. |
| vceSaturationMaxIbIc | 600mV @ 5mA, 100mA |
| packageCase | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| currentCollectorCutoffMax | 15nA (ICBO) |
| voltageCollectorEmitterBreakdownMax | 45V |
| series | - |
| packaging | Tape & Reel (TR) Alternate Packaging |
| operatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| currentCollectorIcMax | 100mA |
| powerMax | 380mW |
| frequencyTransition | 100MHz |
| transistorType | 2 NPN (Dual) |