BFP650FH6327XTSA1

Высокочастотный транзистор BFP650FH6327XTSA1 от Infineon Technologies представляет собой NPN-биполярный прибор, оптимизированный для применения в усилительных каскадах СВЧ-диапазона. Его превосходные высокочастотные характеристики делают его идеальным решением для оборудования связи, радиолокационных систем и измерительной техники, работающей на частотах до 42 ГГц.

Устройство выполнено в компактном корпусе 4-TSFP для поверхностного монтажа (SMD), что обеспечивает надежную интеграцию в современные печатные платы. При напряжении коллектор-эмиттер 4.5 В и токе коллектора до 150 мА транзистор демонстрирует высокую линейность и коэффициент усиления, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 500 мВт.

Производитель: Infineon Technologies

noiseFigureDBTypF0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
eurohsCompliant
productCodeBFP650FH6327XTSA1
standardPackQty3000
supplierPartNumber726-BFP650FH6327XTSA
mountingTypeSurface Mount
packageCase4-SMD, Flat Leads
reelingtrue
voltageCollectorEmitterBreakdownMax4.5V
transistorTypeNPN
cnrohsCompliant
roHsThis part is RoHS compliant.
powerMax500mW
eccnCodeEAR99
categoryRF Bipolar Transistors
rohsStatusRoHS Compliant
operatingTemperature150°C (TJ)
packagingReel;Cut Tape
dcCurrentGainHFeMinIcVce110 @ 80mA, 3V
currentCollectorIcMax150mA
series-
frequencyTransition42GHz
gain11dB ~ 21.5dB
htsCode8541.29.00.95