MMBT3906LP-7B

Этот PNP биполярный транзистор MMBT3906LP-7B от Diodes Incorporated является компактным и надежным решением для широкого спектра задач усиления и переключения сигналов. Устройство характеризуется высоким напряжением коллектор-эмиттер до 40 В и способно работать с токами до 200 мА, что делает его пригодным для различных схем управления.

Благодаря частотному диапазону до 300 МГц и рассеиваемой мощности 250 мВт, транзистор эффективен в высокоскоростных приложениях. Корпус X1-DFN1006-3 для поверхностного монтажа обеспечивает минимальное занимаемое место на печатной плате, отвечая требованиям современной миниатюризации электроники.

Производитель: Diodes Incorporated

series-
roHsThis part is RoHS compliant.
frequencyTransition300MHz
vceSaturationMaxIbIc400mV @ 5mA, 50mA
operatingTemperature-55°C ~ 150°C (TJ)
dcCurrentGainHFeMinIcVce100 @ 10mA, 1V
packagingCut Tape (CT) Alternate Packaging
packageCase3-UFDFN
voltageCollectorEmitterBreakdownMax40V
mountingTypeSurface Mount
currentCollectorIcMax200mA
currentCollectorCutoffMax50nA (ICBO)
powerMax250mW
transistorTypePNP