SIR424DP-T1-GE3

Мощный N-канальный MOSFET-транзистор в компактном корпусе PowerPAK® SO-8, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Устройство рассчитано на напряжение сток-исток 20 В и обеспечивает непрерывный ток до 30 А, что делает его отличным решением для задач управления питанием и переключения в современных электронных устройствах.

Транзистор отличается высокой эффективностью рассеивания мощности: до 4.8 Вт при температуре окружающей среды (Ta) и до 41.7 Вт при температуре корпуса (Tc). Низкое сопротивление канала в открытом состоянии гарантирует минимальные потери и высокую энергоэффективность всей системы.

Производитель: Vishay Siliconix

powerDissipationMax4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
vgsMax±20V
gateChargeQgMaxVgs35nC @ 10V
operatingTemperature-55°C ~ 150°C (TJ)
seriesTrenchFET®
packageCasePowerPAK® SO-8
vgsThMaxId2.5V @ 250µA
mountingTypeSurface Mount
driveVoltageMaxRdsOnMinRdsOn4.5V, 10V
roHsThis part is RoHS compliant.
rdsOnMaxIdVgs5.5 mOhm @ 20A, 10V
currentContinuousDrainId25C30A (Tc)
inputCapacitanceCissMaxVds1250pF @ 10V
drainToSourceVoltageVdss20V
technologyMOSFET (Metal Oxide)
packagingCut Tape (CT) Alternate Packaging
fetFeature-
fetTypeN-Channel