SISS10DN-T1-GE3
Данный N-канальный MOSFET транзистор от VISHAY предназначен для эффективного управления мощными нагрузками в компактных устройствах. Он рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 40 В и способен коммутировать постоянный ток до 60 А, что делает его отличным выбором для DC-DC преобразователей, систем управления питанием и моторных драйверов.
Корпус PPAK 1212-8S (также известный как PowerPAK® 1212-8) обеспечивает превосходный отвод тепла при минимальных занимаемых на плате площадях. Низкое сопротивление канала в открытом состоянии гарантирует высокий КПД и минимальные потери энергии, что критически важно для портативной и автономной электроники.
Производитель: VISHAY
| operatingTempRange | -55°C to +150°C |
| turnOffDelayTime | 28ns |
| mountingMethod | Surface Mount |
| gateSourceVoltageMaxVgss | 20V |
| drainSourceOnResistanceMax | 2.65mΩ |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| drainCurrent | 31.7A |
| gateSourceThreshold | 2.4V |
| drainToSourceVoltageVdss | 40V |
| supplierPartNumber | 78-SISS10DN-T1-GE3 |
| standardPackQty | 3000 |
| currentContinuousDrainId25C | 60A (Tc) |
| productCode | SISS10DNT1GE3 |
| rohsStatus | RoHS Compliant |
| category | MOSFET |
| driveVoltageMaxRdsOnMinRdsOn | 4.5V, 10V |
| series | TrenchFET® |
| powerDissipationMax | 57W (Tc) |
| operatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| vgsMax | +20V, -16V |
| qgGateCharge | 50nC |
| turnOnDelayTime | 10ns |
| ratedPowerDissipation | 4.8W |
| inputCapacitance | 3750pF |
| inputCapacitanceCissMaxVds | 3750pF @ 20V |
| eccnCode | EAR99 |
| vgsThMaxId | 2.4V @ 250µA |
| htsCode | 8541.29.00.95 |
| rdsOnMaxIdVgs | 2.65 mOhm @ 15A, 10V |
| gateChargeQgMaxVgs | 75nC @ 10V |
| riseTime | 19ns |
| fallTime | 7ns |
| fetFeature | - |
| fetType | N-Ch |
| packageCase | 8-PowerVDFN |
| roHs | This part is RoHS compliant. |
| mountingType | Surface Mount |
| noOfChannels | 1 |
| reeling | true |
| packaging | Reel;Cut Tape;MouseReel |