SUM50020EL-GE3
Данный силовой MOSFET N-канального типа от VISHAY представляет собой высокоэффективный ключевой элемент, разработанный для требовательных приложений управления мощностью. Устройство характеризуется низким сопротивлением открытого канала всего 0.0017 Ом, что минимизирует потери мощности и нагрев при работе с большими токами.
С напряжением сток-исток 60 В и током стока до 120 А данный транзистор идеально подходит для использования в импульсных источниках питания, мощных DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и других силовых электронных узлах. Корпус TO-263 (D2PAK) предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и обеспечивает эффективный отвод тепла от кристалла.
Производитель: Vishay Siliconix
| currentContinuousDrainId25C | 120A (Tc) |
| packageCase | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| driveVoltageMaxRdsOnMinRdsOn | 4.5V, 10V |
| drainToSourceVoltageVdss | 60V |
| powerDissipationMax | 375W (Tc) |
| operatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| roHs | This part is RoHS compliant. |
| gateChargeQgMaxVgs | 126nC @ 10V |
| fetFeature | - |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| rdsOnMaxIdVgs | 2.1 mOhm @ 30A, 10V |
| fetType | N-Channel |
| series | TrenchFET® |
| inputCapacitanceCissMaxVds | 11113pF @ 30V |
| mountingType | Surface Mount |
| vgsThMaxId | 2.5V @ 250µA |
| vgsMax | ±20V |
| packaging | Digi-Reel® Alternate Packaging |