SI2336DS-T1-GE3
Данный N-MOSFET от VISHAY представляет собой мощный и компактный полевой транзистор, идеально подходящий для широкого спектра задач управления нагрузкой и переключения в современных электронных устройствах. Его ключевые параметры делают его отличным выбором для портативной и стационарной техники.
Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 30В и способно коммутировать постоянный ток до 4.1А, что обеспечивает высокую эффективность в силовых цепях. Низкое сопротивление в открытом состоянии минимизирует потери мощности и нагрев. Корпус SOT23 гарантирует экономию места на печатной плате при сохранении отличных тепловых характеристик и рассеиваемой мощности до 1.1Вт.
Производитель: Vishay Siliconix
| packaging | Digi-Reel® Alternate Packaging |
| inputCapacitanceCissMaxVds | 560pF @ 15V |
| driveVoltageMaxRdsOnMinRdsOn | 1.8V, 4.5V |
| packageCase | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| fetFeature | - |
| currentContinuousDrainId25C | 5.2A (Tc) |
| roHs | This part is RoHS compliant. |
| operatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| fetType | N-Channel |
| drainToSourceVoltageVdss | 30V |
| gateChargeQgMaxVgs | 15nC @ 8V |
| series | TrenchFET® |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| vgsThMaxId | 1V @ 250µA |
| vgsMax | ±8V |
| rdsOnMaxIdVgs | 42 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| powerDissipationMax | 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) |
| mountingType | Surface Mount |